|
Нобелевский лауреат, английский ученый российского происхождения Андрей Гейм намерен покинуть Великобританию, если сокращение бюджетных расходов скажется на финансировании научной работы в его лаборатории в Манчестерском университете.
Ранее министр финансов Великобритании Джордж Осборн объявит план сокращения государственных расходов с целью ликвидации рекордного бюджетного дефицита. В частности, будут ограничены расходы на науку. В связи с этим Андрей Гейм сказал газете The Financial Times, что «покинет Соединенное Королевство, если сокращение ассигнований скажется на исследованиях».
«Я работал в течение шести месяцев в Ноттингеме и понял, что за эти шесть месяцев я смог сделать больше интересной работы, чем в течение двадцати-тридцати лет, учитывая количество оборудования и поддержки, которые я мог получить в бывшем Советском Союзе», - сказал Гейм.
Планы британского правительства по сокращению расходов на фундаментальную науку вызывают опасения у нобелевского лауреата. «Посмотрим, что нас ждет. Недавно я написал министру по делам бизнеса Винсу Кейблу и министру по делам университетов и науки Дэвиду Уиллетсу, пригласив их на церемонию вручения Нобелевских премий в Стокгольм , - сказал Гейм. - Я написал, что эта Нобелевская премия как стакан благородного вина, которое происходит с виноградника. Необходимо десятилетие, чтобы его насадить, вырастить, оросить, ухаживать за виноградными лозами. Но человеку с острым топором достаточно одного часа, чтобы уничтожить всю предыдущую работу. Наука - это очень деликатная материя, вы можете очень быстро уничтожить все, что создавалось в течение десятилетий».
Как сообщает ИТАР-ТАСС, группа британских Нобелевских лауреатов обратилась к правительству с открытым письмом, в котором призвала не сокращать расходы на фундаментальную науку и не ограничивать приток ученых из-за рубежа.
Нобелевскую премию физики Андрей Гейм и Константин Новоселов получили за открытие нового материала - графен. Это двумерный кристалл - пленка углерода толщиной в один атом. Он обладает уникальными свойствами, которые могут сделать этот материал основой будущей наноэлектроники.
| |