|
«Роснано» и французская Crocus Technology объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму $300 млн, говорится в сообщении российской компании.
Партнеры создадут компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching - TAS), разработанной Crocus.
«Проект станет первым в России предприятием для обработки 300-миллиметровых кремниевых пластин. Но наш проект, ориентированный на глобальный рынок - больше, чем просто трансфер технологий», - подчеркнул управляющий директор «Роснано» Дмитрий Лисенков, чьи слова приводит компания.
В ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин памяти в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю.
«Роснано» планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд руб. На первом этапе компания и соинвесторы - венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures - вложат в уставный капитал CNE $55 млн. Еще около $125 млн участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется дополнительно инвестировать $120 млн, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе, на совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.
В 2015 г. совокупный оборот создаваемой компании, включая внутригрупповой, превысит 6 млрд руб, сказал Лисенков РИА Новости. По его словам, в настоящее время рассматриваются две площадки для размещения проекта: Зеленоград и Калининградская область.
Кроме этого, также запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и систем на чипе (system-on-chip - SOC).
Магниторезистивная оперативная память (MRAM - magnetoresistive random-access memory) считается одной из перспективных технологий будущего. Она сочетает ряд достоинств как оперативной компьютерной DRAM-памяти (высокая производительность, практически бесконечное число циклов перезаписи, невысокое энергопотребление), так и Flash-памяти (энергонезависимость). Благодаря тому, что в MRAM-памяти для хранения данных не используются, как во Flash-памяти, разнонаправленные электрические заряды, соответствующие двоичным «2» и «1», она устойчива к воздействию радиации и способна работать в широком интервале температур.
| |